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PRODUCT CLASSIFICATION
更新時間:2026-06-04
瀏覽次數(shù):118半導體薄膜沉積(CVD/PVD)、外延生長及光刻膠烘焙等工序,要求在 ISO 4~5 級環(huán)境 + 超高純惰性氣體保護(O?<0.1~1ppm) 下進行。哪怕是數(shù) ppm 的氧滲入,也會導致柵氧層界面缺陷、金屬布線氧化或良率波動。
TORAY LC-750L 低濃度氧化鋯氧分析儀,專為此類高純特氣微量氧監(jiān)測設計,廣泛應用于以下半導體關鍵節(jié)點:

制氮機/氣體純化裝置出口監(jiān)測
驗證 PSA/膜分離或催化脫氧純化柱后的 N? 是否達標(如 O?<1ppm),判斷是否需切換純化柱或觸發(fā)再生。
工藝腔體 Purge(吹掃)氣驗證
在 Load Lock / Transfer Module 吹掃階段,取樣分析排氣的氧濃度衰減曲線,確認腔體已達工藝允許的上限含氧量后再開始工藝,避免交叉污染。
大宗特氣柜(VMB)支路監(jiān)控
對 Ar、He 等載氣或保護氣做在線抽檢,確保特氣供應商純度符合 Fab 廠規(guī)格(Spec)。
10ppm / 100ppm 固定量程可選:針對高純 N? 監(jiān)測推薦 0~10ppm 量程,針對一般 Purge 排氣可選 0~100ppm,避免過量程導致低濃度盲區(qū);
耐污染設計:可選配硅過濾器(吸附含硅氣體,如 TEOS 殘留)及活性炭過濾器,防止工藝殘余氣體劣化傳感器——這點對 Fab 廠尤為重要;
SEMI 風格集成:4~20mA + RS-232C 通信,可接入 Fab 廠氣體管理系統(tǒng)(GMS);小巧機身支持面板安裝或臺式放置于 Sub-fab 氣柜旁;
參比氣體為大氣:無需額外參比氣瓶,降低運行成本與氣源管理負擔。
順磁式雖精度高但通常下限在 % 級或數(shù)百 ppm,不適合 10ppm 以下特氣驗證;
電化學在 ppb~ppm 有應用,但漂移大、需頻繁標定、對溫濕敏感;
LC-750L 氧化鋯法:兼顧低量程(10ppm)、長穩(wěn)、少維護,是半導體廠常用的在線連續(xù)監(jiān)測方案,特別適合純化裝置出口及關鍵 Purge 點。
TORAY LC-750L ——讓高純氣體的"純度"不再是黑盒,用數(shù)據(jù)證明您的工藝氣體真正達標。納加霍里科技提供 TORAY 全系氧分析儀選型、過濾器配置及售后維保服務,歡迎聯(lián)系咨詢。
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